广东品质CeYAP晶体材料

Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP 的荧光激发发射谱，714nm 和685nm发射峰为Mn4+ 离子 2E - 4A2 跃迁[113]。332 nm, 373 nm 和 480 nm ( λem=714nm) 分别属于Mn4+离子的4A2→4T1 (4F), 4A2→4T1 (4P), 4A2→4T2 跃迁。Ce, Mn: YAP 晶体的Ce3+ 的发射峰在397nm，比Ce: YAP 晶体红移了近30 nm，主要是Mn4+ 离子的吸收造成的。图 4-49 中，Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP在480 nm的吸收峰属于Mn4+ 离子的4A2→4T2 跃迁，另从透过谱可知，Mn离子掺杂后Ce: YAP的透过边有明显红移动，并且整体透过性能降低。CeYAP晶体发光波长为360－380nm，可与目前的光电接受装置有效耦合。广东品质CeYAP晶体材料

对于掺Ce3的无机闪烁晶体，高能射线作用下的闪烁机制一般认为如下:晶体吸收高能射线后，晶体内部产生大量的热化电子空穴对。由于铈元素的四阶电离能是所有稀土元素中比较低的(如图1-6所示)，晶体发光中心的Ce3离子首先俘获一个空穴形成Ce4离子。然后一个电子被捕获，变成Ce3。此时，电子和空穴被铈离子重组。复合产生的能量将Ce3离子从4f基态激发到5d激发态，然后Ce3离子从5d激发态辐射弛豫到4f基态发光由于掺杂铈离子的无机闪烁体通常具有高光输出和快速衰减的特点。广东品质CeYAP晶体材料CeYAP高温闪烁晶体具有优异的闪烁性能和独特的物理化学性质。

用原来的小坩埚(8050mm)生长大尺寸晶体时，晶体旋转产生的强制对流对熔体温场，有很大扰动，导致晶体直径控制问题，无法实现有效等径，从而影响晶体质量，如图3.6所示。所以我们选择了11080mm的铱坩埚，壁厚3 mm。在晶体生长过程中，温场对晶体质量有重要影响[88]。静态下，温度场比较简单。主要考虑晶体的热传导和热辐射，可以得到晶体的温场沿轴向对称。当温度梯度沿轴向距离增大时，各分量(轴向/径向)呈指数下降，存在固液界面凹凸的临界条件。详细的计算过程和结果由Bu赖斯给出。

为了研究过渡金属可能对Ce: YAP晶体性能的影响，我们生长了Mn 离子掺杂的Ce: YAP 晶体，并与Mn: YAP和Ce: YAP 晶体进行了比较。选用Mn 离子一是由于Mn 对YAP 晶体的吸收谱影响很大；二是M. A. Noginov等人将Ce离子掺入Mn: YAP中来获得三价Mn离子[113]，Ce3+离子可以为Mn4+ 离子提供一个电子，使其变成三价：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+，正好研究Mn 对Ce离子价态变化的影响；而且Mn离子和Ce离子之间可能存在能量传递过程，对研究Ce: YAP晶体的闪烁性能会有一些参考作用。CeYAP晶体生长流程：装炉、抽真空、充气、升温化料、烤晶种、下种、缩颈、生长、提拉、降温、退火。

生长CeYAP晶体批发价过渡金属掺杂对YAP晶体透过边有哪些影响？Ce: YAP晶体自吸收机制分析，从以上实验可以看出，存在自吸收的累积效应，随着厚度和浓度的增加而增加。在氧气氛中退火后，自吸收增加，而在还原气氛中，自吸收减少。自吸收随ce离子浓度的增加而增加，与Ce离子有明显的相关性，说明杂质离子引起自吸收有两种可能：一种可能是Ce原料附带的；另一种可能是其他原料中的杂质可以与Ce离子相互作用形成吸收中心。如果Ce原料上有杂质附着，CeO2原料纯度为5N，Ce离子的熔体浓度小于0.6%，两者之间的倍增为0.1ppm数量级，那么这种杂质的可能性很小。离子掺杂浓度、原料的纯度以及生长工艺条件等是影响CeYAP晶体缺陷的主要原因。广东品质CeYAP晶体材料

CeYAP)晶体的开裂现象进行了研究，认为引起 开裂的主要内在因素是YAP晶体热膨胀系数的各向异性。广东品质CeYAP晶体材料

无机闪烁晶体的闪烁机理闪烁体的本质是在尽可能短的时间内把高能射线或者粒子转化成可探测的可见光。通常高能射线与无机闪烁晶体相互作用存在有三种方式，光电效应，康普顿散射，正负电子对。光电效应中，一个离子吸收光子后，会从它的一个壳层中发射出光电子，光电子能量为光子能量和电子结合能之差。当该壳层的空位别外层较高能量的电子填充时，结合能会以X射线或者俄歇电子的形式释放出来。产生的X射线将在二次光电过程中北吸收，入射光的全部能量则被闪烁体所吸收。广东品质CeYAP晶体材料

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